Descoperirea cercetătorilor MIT poate dubla numărul de tranzistori acomodaţi pe chip-urile de siliciu

Cercetătorii MIT au anunţat descoperirea unui procedeu de fabricaţie care promite dublarea numărului de tranzistori acomodaţi pe chip-urile de siliciu.

MESAJE DE CRĂCIUN 2018. O colecţie de urări, mesaje, felicitări şi sms-uri frumoase pentru un Crăciun Fericit

• Gaura din stratul de ozon, neobișnuit de mare anul acesta. Mai mare decât Antarctica
• O campanie din Germania și-a aruncat în aer propria rachetă

Organizaţi pe verticală, tranzistorii 3D sunt deja folosiţi cu procesoarele moderne pentru a reduce spaţiul ocupat pe pastila de siliciu şi îmbunătăţi performanţele în ansamblu. Potrivit cercetătorilor MIT, există loc pentru miniaturizare suplimentară cu ajutorul unei tehnici de micro-fabricare ce presupune modelarea chip-ului de siliciu atom-cu-atom.

Mult mai precis, procedeul thermal atomic-level etching (ALE) permite reducerea spaţiului dintre tranzistorii individuali la numai 2.5nm, în comparaţie cu 7nm cât este limita inferioară a metodelor de fabricaţie actuale.

În mod tradiţional, microfabricarea chip-urilor de siliciu implică depozitarea prealabilă a unui film subţire de material fotosensibil pe un substrat de siliciu, urmată de gravarea designului de microprocesor. Formarea tranzistorilor se face prin expunerea la lumină de o anumită lungime de undă, propagată printr-o serie de măşti care blochează selectiv lumina ajunsă pe stratul de material fotosensibil, reproducând designul chip-ului respectiv.

Materialul expus la lumină este dizolvat folosind substanţe chimice.În urmă sunt lăsaţi tranzistori şi traseele de comunicaţie proaspăt gravate.